Sandūrų barjero parametrų kitimų Si, Ge, GaAs, GaN, Cu-CdS ir foto-elektros puslaidininkinių prietaisų tyrimai

Sukurta: 27 lapkričio 2018
Padalinys: Fizikos fakultetas
Raktažodžiai: Sandūrų barjero parametrai, foto-elektros puslaidininkiniai prietaisai, radiacinis poveikis

Leidžia nustatyti sandūrų barjero parametrų kitimus.

Panaudojimo galimybės. Elektronikos ir foto-elektros įrenginių gamybos įmonės. Radiacinių, terminių bei kombinuotų apdorojimų technologijos darinių funkcinėms charakteristikoms identifikuoti. Radiacinių poveikių ex situ kontrolė.

Kontaktai: Dr. Eugenijus Gaubas, +37060034126,